个人简介

王湛，讲师，男，1991年12月生，陕西西安人，中共党员，2014年获西安电子科技大学电子科学与技术专业学士学位，2020年获得材料物理与化学专业工学博士学位，同年入职welcome欧洲杯官网 welcome欧洲杯官网，任电子科学与技术、集成电路工程专业硕士生导师。

讲授课程包括：半导体物理与器件，微电子技术可靠性等。主持陕西省科技厅、教育厅青年项目等项目，作为主要成员参与完成多项自然科学基金和重点研发计划，在Applied Surface Science, Applied Physics Letters, Nanotechnology, IEEE Electronic Device Letters等权威期刊发表论文多篇，授权专利3项，其中1篇获得IOP出版社中国区“高被引文章奖”。目前主要从事宽禁带半导体材料、器件和系统应用的相关研究。

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研究方向

宽禁带半导体规模化制备，范德华混合维度异质集成器件,功率/光电/存储器件片上系统研制。

教学方向

电子科学与技术、集成电路工程

科研项目

1、王湛，2022.01-2023.12，准二维Ga₂O₃与2H/1T＇相MoTe₂异质集成深紫外光电器件机理研究，陕西省科技厅青年项目；

2、王湛，2022.01-2023.12，β-氧化镓与半金属碲化钼混合维度异质结宽波段柔性探测器件研究，陕西省教育厅青年项目；

3、王湛，2023.07-2024.07，新型半导体材料与器件测试分析，校间合作项目。

发表论文

1.Wang Zhan; Cheng Kai; Sun Jing;Ma Xiaohua, et al. Ultra-Wide Bandgap Quasi Two-Dimensional β-Ga₂O₃with Highly In-Plane Anisotropy for Power Electronics, Applied Surface Science, 2023, 619: 156771.

2.Sun, Jing(#); Wang Zhan(#); Wang Saisai; Ma Xiaohua, et al. Transient Form of Polyvinyl Alcohol-based Devices with Configurable Resistive Switching Behavior for Security Neuromorphic Computing,Applied Physics Letter, 2023, 122: 173505.

3.Wang Zhan; Sun Jing; Wang Haolin; Ma Xiaohua,et al. 2H/1T' Phase WS_2(1-x)Te_2xAlloys Grown by Chemical Vapor Deposition with Tunable Band Structures, Applied Surface Science, 2020, 504:144371.

4.Wang Zhan; Xie Yong; Ma Xiaohua; Hao Yue, et al. NaCl-Assisted One-Step Growth of MoS₂-WS₂In-Plane Heterostructures, Nanotechnology, 2017, 28: 325602.

5.Xie Yong; Wang Zhan; Zhan Yongjie; Ma Xiaohua, et al. Controllable Growth of Monolayer MoS₂by Chemical Vapor Deposition via Close MoO₂Precursor for Electrical and Optical Applications, Nanotechnology, 2017, 288: 084001.

会议与工作论文

1、第二十四届全国半导体物理学术会议，2023，上海，口头报告；

2、中国材料大会2022-2023，2023，深圳，口头报告；

3、第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会，2023，济南，海报交流。

电子邮箱 xdwangzhan@163.com