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导师风采

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武利翻

发布时间:2024年02月29日 14:59      浏览次数:[]


个人简介

武利翻,女,1980年06月出生,副教授,中共党员,硕士生导师。

2006年07月到welcome欧洲杯官网任教,2017年12月毕业于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业,至今在welcome欧洲杯官网welcome欧洲杯官网任教。科研方面:主持了陕西省教育厅科学研究计划项目“InAs/AlSb HEMT器件欧姆接触特性优化的研究”;参与国家青年基金“低BPD密度4H-SiC外外延生长研究”和“栅控界面产生电流在纳米CMOS器件中的作用机理及可靠性研究”;参与了陕西省教育厅项目“高灵敏度气体传感器多组元阵列的制备与特性研究”;自任职以来,在Japanese Journal of Applied Physics、Chinese Physics B、Applied Mechanics and Materials、Solid State Electronics、《半导体光电 》等杂志和期刊上以第一作者发表篇学术论文11篇,其中SCI收录3篇,EI收录4篇。


研究方向

化合物半导体材料与器件研究


教学方向

围绕集成电路设计与系统专业和微电子专业学生授课,主讲《半导体物理》《微电子概论》《半导体物理与器件》《微电子学实验》等课程


教学奖励

1. 2019年主持教育部高等教育司产学合作协同育人项目:新工科背景下半导体物理与器件实践教学改革的探讨与实践;

2.2020年获全国高等学校电子信息类专业青年教师授课竞赛西北赛区一等奖

3. 2021年校教学改革项目:基于OBE工程教育模式下微电子科学与工程专业实践教学体系的研究与实践。


科研项目

1.武利翻 主持2017.6-2018.12,InAs/AlSb HEMT器件欧姆接触特性优化,陕西省教育厅

2.武利翻 参与2014.1-2016.12,低BPD密度4H-SiC外延生长研究,国家自然青年基金

3.武利翻 参与2014.1-2016.12,栅控界面产生电流在纳米CMOS器件中的作用机理及可靠性研究,国家自然青年基金


出版专著及教材

武利翻,2019.9,《Sb基高电子迁移率晶体管》,西北大学出版社


发表论文

1.Wu Li fan, Rui Xia Miao, Li Yong Feng. Investigation of band alignment between InAlAs and atomic-layer-deposited HfO2/Al2O3by X-ray photoelectron spectroscopy[J]. Applied Physics Express.2019.3

2.Wu Li-fan, Miao Rui-xia, Shang Shi-guang. Highly-sensitive Sb-based Quantum-well 2DEG-Hall Device[J]. Chinese Journal of Luminescence. 2018, 39(5): 687-691.

3.Wu Li-Fan, Zhang Yu-Ming,Lv Hong-Liang,ZhangYi-Men. Atomic

layer-deposited Al2O3and HfO2on InAlAs: A comparative study of interfacial and electrical characteristics [J]. Chinese Physics B, 2016, 25(10): 108101-108105.

4.Wu Li-Fan,Zhang Yu-Ming,Lv Hong-Liang,Zhang Yi-Men. Interfacial and electrical characterization of HfO2/Al2O3/InAlAs structures[J]. Japanese Journal of Applied Physics, 2015, 54(11):110303-4.

5.Wu Li-fan, Miao Rui-Xia, Li Yong-Feng, Yang Xiao-Feng. High Sensitivity hall Decices with AlSb/InAs Quantum Well Structure[J].Chinese Journal of Luminescence, 2017,38(12):1650-1653.


会议与工作论文

Wu Li-FanZhang Yu-Ming, Lv Hong-Liang, Zhang Yi-Men. Characterization of HfO2/Al2O3Gate Dielectric Nanometer-Stacks Grown by Atomic Layer Deposition on InAlAs Substrates[C]. ICSICT 2016 The IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology. Hang Zhou, China, October 2S-28, 2016.


电子邮箱 wulifan@xupt.edu.cn




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