报告时间：2021年5月28日下午14:30分

报告地点：2号实验楼307会议室

报告题目：过渡金属硫化物的可控制备与准二维材料的  器件研究

报告人：王湛 博士

报告简介：

近年来，二维过渡金属硫化物(TMDs)凭借天然的带隙、较高的载流子迁移率等优异的物理性质受到了广泛的关注。通过异质结、固溶体和同素异构等方式实现精确的能带调控对其在电子和光电子等领域的应用十分重要。目前，由于氧化物较高的熔点和生长中较低的蒸汽压，可控、高质量的TMDs生长存在一定的困难，制备二维碲化物及固溶体仍然具有挑战。此外，宽禁带半导体β-氧化镓 (100)晶面解理能较低，能够通过微机械剥离的方式获得几十或上百纳米的准二维纳米带，在大单晶制备困难、价格极为昂贵的背景下，研究这种准二维宽禁带材料并实现电子器件对于挖掘其在电力电子和短波长发光与探测等方面具有重要的研究价值。 

本报告针对VIB族TMDs的可控制备，及准二维氧化镓器件的工艺优化，提出基于盐辅助生长、氢气调节和厚度调控等方法，扩展了低维硫族半导体材料的制备思路，实现了准二维氧化镓器件电学性质的初步探索。

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二零二一年五月二十七日