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系列学术报告2021年第14期——陆芹博士
报告时间：2021年11月12日下午2:30分
报告地点：2号实验楼307会议室
报告题目：宽禁带半导体氧化镓材料与器件研究
报告人：陆芹 博士
报告简介：
相比于其他半导体（GaN和SiC）材料，氧化镓（Ga2O3）具有超宽带隙（~4.8eV），更高得耐击穿特性，击穿场强理论上可达8MV/cm，同时，这种材料还具有更低的能量损耗、更高的热稳定性和化学稳定性，以及天然的日盲特性，使其在高压大功率和光电探测领域具有很好的应用前景。近年来氧化镓材料与器件的研究已成为国际上宽禁带半导体领域的研究热点。
本报告将围绕氧化镓材料与器件，介绍现阶段开展的研究工作，包括氧化镓材料制备方法，柔性器件以及日盲紫外探测器件性能研究的相关结果。并针对目前研究存在的问题以及未来的研究方向作探讨。
欢迎广大师生前来交流！
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二零二一年十一月十二日
