报告题目：TFET器件结构设计与特性

报告人：陈庆

报告时间：2023年12月29日（星期五），14：30

报告地点：FZ718

随着人工智能、物联网、可穿戴、智能安防和5G等新兴产业的发展，对超低功耗集成电路的要求越来越迫切。但当硅基MOS技术进入纳米尺度，存在于超短栅长纳米MOS晶体管中的短沟道效应、源漏穿通和开态电流不按比例增大等问题，造成功耗密度越来越大，极大的限制了传统集成电路在新一代信息技术中的应用。隧穿场效应晶体管（Tunneling Field Effect Transistors, TFET），利用隧穿的方式控制开关，突破了传统器件的热力学限制，平均亚阈值摆幅更为陡峭，能够提供十分陡峭的电流增长，在电压非常低时也能有效工作，能够突破传统MOS器件60 mV/dec亚阈值摆幅的限制而备受瞩目。本次报告计划从TFET器件的研究进展、工作机理及结构设计与特性进行介绍。

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2023年12月28日